³» ´ëÇÐ À¯ÀÏ Symposium on VLSI Technology ÇÐȸ 13°³ Highlight ±â¼ú ³í¹®À¸·Î ¼±Á¤
¡ã ÇѾç´ë ½Å¼ÒÀç°øÇаú ÃÖâȯ ±³¼ö
¿ì¸® ÇÐȸ ÇмúÀÌ»çÀÎ ÇѾç´ë ½Å¼ÒÀç°øÇаú ÃÖâȯ ±³¼ö ¿¬±¸ÆÀÀÌ 3Â÷¿ø Ç÷¡½Ã ¸Þ¸ð¸® ¼ÒÀÚÀÇ °í´ÜÈ ¹× ÀúÀü·Â ¹®Á¦¸¦ ÇØ°áÇÒ ¼ö ÀÖ´Â »õ·Î¿î °À¯Àüü ½Å¼ÒÀç ¿¬±¸ °á°ú¸¦ 2020³â 6¿ù 14ÀÏ~19ÀÏ°£ ¿¸° ¡®IEEE Symposia on VLSI Technology and Circuits¡¯¿¡ ¹ßÇ¥Çß´Ù. ƯÈ÷, º» ¿¬±¸ °á°ú´Â ±â¼úÀ§¿øȸ°¡ ¼±Á¤ÇÑ 13°³ Highlight ±â¼ú ³í¹®À¸·Î äÅõǾî ÇÐȸ ¹Ìµð¾îÇÁ·¹½º¿¡ ¼Ò°³µÇ¾î ÁÖ¸ñ¹Þ°í ÀÖ´Ù. °À¯Àüü´Â ¿ÜºÎ¿¡¼ Àü±âÀåÀ» °¡ÇÏÁö ¾ÊÀº »óȲ¿¡¼µµ µÎ °¡Áö ÀÌ»óÀÇ ºÐ±ØÀ» °®´Â Àç·áÀÌ´Ù.
¿ÃÇØ·Î 40ÁÖ³âÀ» ¸ÂÀÌÇÑ Symposia on VLSI Technology and Circuits´Â International Electron Device Meeting(IEDM)°ú ÇÔ²² ¹ÝµµÃ¼ ºÐ¾ß¿¡¼ ÃÖ°íÀÇ ±ÇÀ§¸¦ °¡Áø ÇÐȸ·Î ¸Å³â ¹ÝµµÃ¼ ±â¼ú ºÐ¾ß ÃֽŠ¿¬±¸ ³»¿ëÀ» ¹ßÇ¥ÇÏ°í, ¼¼°è °¢±¹ÀÇ ¹ÝµµÃ¼ ±â¾÷ ¹× Çа迡¼ Åõ°íÇÑ ³í¹® Áß °¡Àå ¶Ù¾î³ ¼Ò¼öÀÇ ³í¹®À» ¼±Á¤ÇÑ´Ù. ¿ÃÇØ´Â Äڷγª¹ÙÀÌ·¯½º·Î virtual Çü½ÄÀ¸·Î °³ÃֵǾúÁö¸¸ ÃÖ±Ù 10³â°£ ¿¸° ÇÐȸ Áß ¿ª´ë ÃÖ°íÀÇ °æÀï·üÀ» º¸¿´°í Åõ°íµÈ ÃÑ 248°ÇÀÇ ³í¹® Áß 86°ÇÀÌ ³í¹®ÀÌ Ã¤ÅõǾú´Ù. ±×Áß ´Ü 29ÆíÀÇ ³í¹®¸¸ÀÌ ´ëÇб³¿¡¼ ÀÛ¼ºµÈ °ÍÀ¸·Î, À̹ø ÃÖâȯ ±³¼ö ¿¬±¸ÆÀÀÇ ¿¬±¸ ¼º°ú´Â ÀǹÌÇÏ´Â ¹Ù°¡ Å©´Ù. ÇöÀç 3Â÷¿ø Ç÷¡½Ã ¸Þ¸ð¸® ¼ÒÀÚ´Â ½Ç¸®ÄÜ ¿Á»çÀ̵å, ½Ç¸®ÄÜ ³ªÀÌÆ®¶óÀ̵å, ½Ç¸®ÄÜ ¿Á»çÀ̵å (ONO)·Î ±¸¼ºµÈ ¹Ú¸· Àç·á¸¦ ÀüÇÏ ÀúÀåÃþÀ¸·Î »ç¿ëÇϸç 20 nm Á¤µµÀÇ µÎ²²¸¦ °®´Â´Ù´Ù. 3D Ç÷¡½Ã ¸Þ¸ð¸® ¼ÒÀÚÀÇ ¼º´É °³¼±À» À§ÇØ Áö¼ÓÀû °í´ÜÈ°¡ ÇÊ¿äÇϳª ±âÁ¸ ONO ¹Ú¸·Àº µÎ²²¸¦ ÁÙÀ̱Ⱑ ¾î·Æ°í »õ·Î¿î ´ëü ¹Ú¸· Àç·á´Â ´ÙÄ¡È(MLC, Multi-level cell)ÀÇ ¾î·Á¿òÀÌ ÀÖ¾î ½Å¼ÒÀç °³¹ßÀÌ ÇÊ¿äÇÏ´Ù.
¡ã ±Þ¼Ó ³Ã°¢À¸·Î AlHfO2 ¼ÒÀç¿¡ °À¯Àüü ¼ºÁúÀ» ¶ç°Ô ¸¸µç ÃÖâȯ ±³¼ö ¿¬±¸ÆÀ
ÃÖ ±³¼öÆÀÀº ¾Ë·ç¹Ì´½ µµÇÎµÈ HfO2 (Al:HfO2) ¹Ú¸· Àç·á¸¦ Å»À̿¼ö¿¡¼ °í¼Ó ±Þ·©ÇÔÀ¸·Î½á ºñ¾àÀûÀ¸·Î Çâ»óµÈ ÀÜ·ù ºÐ±Ø (Pr)°ú Ç×Àü±âÀå (Ec)À» °®´Â »õ·Î¿î °À¯Àüü ¹Ú¸·À» º¸°íÇÏ¿´´Ù. À̸¦ Àû¿ëÇÑ Ç÷¡½Ã ¸Þ¸ð¸® ¼ÒÀÚ´Â MLC ±¸Çö, ¾ÈÁ¤ÀûÀÎ 100¸¸ ¹ø ¾²°í/Áö¿ì±â¿Í 10³âÀÇ µ¿ÀÛ ½Å·Ú¼ºÀÌ °¡´ÉÇÏ¸ç ¹Ú¸· ³»ºÎÀÇ ³ôÀº ÀÀ·Â°ú º¯ÇüÀ» ÅëÇØ ¾ÈÁ¤µÈ »ç¹æÁ¤°è »ó(Orthorhombic phase)À» À¯µµÇϱ⠶§¹®¿¡ °À¯Àüü Ư¼ºÀÌ Çâ»óµÈ´Ù°í º¸°íÇÏ¿´´Ù.
ÃÖâȯ ±³¼ö´Â ¡°°À¯Àüü¹Ú¸· Àç·á ¼¼¼Ç¿¡ äÅÃµÈ ÃÑ 8ÆíÀÇ ³í¹® Áß ±â¾÷ 5Æí, ´ëÇÐ 3ÆíÀ̸ç, ±¹³» ´ëÇÐÀº ÇѾç´ë ¿¬±¸ÆÀÀÌ À¯ÀÏÇÏ´Ù¡±¶ó¸ç ¡°¼ø¼ö ´ëÇבּ¸·Î ¹ßÇ¥ÇÏ´Â °ÍÀº ¸Å¿ì ÀÌ·ÊÀûÀÌ°í À̹ø ¿¬±¸´Â °í´ÜÈ¿Í MLC ±¸ÇöÀÌ °¡´ÉÇÑ °À¯Àüü ¹Ú¸· ±â¹Ý 3Â÷¿ø Ç÷¡½Ã ¸Þ¸ð¸®¼ÒÀÚ °³¹ß¿¡ ±â¿©ÇÒ ¼ö ÀÖÀ» °ÍÀ¸·Î ±â´ëÇÑ´Ù¡±¶ó°í ¸»Çß´Ù.
* ¿ë¾î¼³¸í
- °À¯Àüü : °À¯Àüü´Â ¿ÜºÎ¿¡¼ Àü±âÀåÀ» °¡ÇÏÁö ¾Ê¾Æµµ µÎ °¡Áö ÀÌ»óÀÇ Àü±âÀû ºÐ±ØÀ» °®´Â Àç·á¸¦ ÀǹÌÇÑ´Ù.
- ÀÜ·ù ºÐ±Ø (Remanent Polarization, Pr)Àü±â °À¯Àüü Àç·á¿¡¼ ¿ÜºÎÀÇ Àü±âÀåÀÌ ¾ø´Â »óÅ¿¡¼ Á¸ÀçÇÏ´Â Àü±â ºÐ±Ø°ª
- Ç×Àü±âÀå (Coercive field, Ec)¿¬¼ÓÇÏ¿© ¹Ýº¹µÇ´Â °À¯ÀüüÀÇ ÁÖ È÷½ºÅ׸®½Ã½º °î¼±»óÀÇ Àü¼Ó¹Ðµµ°¡ ¿µÀÌ µÇ´Â Àå¼Ò¿¡¼ÀÇ Àü°èÀÇ ¼¼±â¸¦ À̸¥´Ù. Áï, ºÐ±Ø°ªÀÌ 0ÀÌ µÇ±â À§ÇØ °¡ÇØÁà¾ß ÇÏ´Â ¹Ý´ë ¹æÇâÀÇ Àü±âÀåÀÇ Å©±â
* ³í¹®¸í : Fast Thermal Quenching on the Ferroelectric Al:HfO2 Thin Film with Record Polarization Density and Flash Memory Application
-Ãâó: ÇѾ紺½º
|